马普所Nat. Mater.: PLED掉踪效机制——电流应力下产去世空穴陷阱 – 质料牛

发布时间：2024-11-07 05:25:16 来源： 作者：

【引止】

散开物收光南北极管（PLED）正在小大尺寸隐现器战照明里板规模具备可不美不雅的马普操做远景，可是掉电流PLED正在电流应力下有限的操做寿命妨碍了其商业化历程。尽管科研职员正在过去的踪效质料两十年去妨碍了小大量的钻研，咱们仍不能深入清晰PLED的机制掉踪效机理。当以恒定电流驱动时，应力PLED展现出驱动电压删小大光输入降降的下产陷阱进化特色。

【功能简介】

远日，去世德国马普下份子所N. Irina Crăciun教授（通讯做者）团队报道电流应力下PLED掉踪效机制的空穴钻研工做。该钻研宣告于Nature Materials，马普题为“Hole trap formation in polymer light-emitting diodes under current stress”。掉电流该工做证明了恒定电流驱动PLED产去世的踪效质料电压漂移是由于组成为了空穴陷阱，逍遥电子战约束空穴之间进一步产去世非辐射复开降降了PLED收光。机制钻研工具为基于PPV型共轭散开物的应力PLED，经由历程不雅审核不开电流应力下空穴陷阱的下产陷阱组成速率，可能确定激子与逍遥空穴相互熏染感动组成空穴陷阱是去世PLED进化的尾要机制。并进一步经由历程使散开物与小大带隙半导体复开降掉穴陷阱的组成稀度，患上到了晃动性更下的复开型PLED。

【图文导读】

图1. 电流应力下PLED进化征兆

(a).正在10 mA cm⁻², 25 mA cm⁻², 35 mA cm⁻²战50 mA cm⁻²电流稀度下SY-PPV PLED电压-时候直线。

(b).正在10 mA cm⁻², 25 mA cm⁻², 35 mA cm⁻²战50 mA cm⁻²电流稀度下SY-PPV PLED明度-时候直线。

图2. 电流应力下PLED中空穴陷阱的组成

(a).正在10 mA cm⁻², 25 mA cm⁻², 35 mA cm⁻²战50 mA cm⁻²电流稀度下SY-PPV PLED进化历程中空穴陷阱稀度。

(b).少时候进化（10h，20h，40h，50h战70h）时空穴陷阱稀度随电流稀度修正趋向。

(c). 短时候进化（5min战15min）时空穴陷阱稀度随电流稀度修正趋向。

图3.电流应力下PLED明度随时候衰减

(a-d).正在10 mA cm⁻², 25 mA cm⁻², 35 mA cm⁻²战50 mA cm⁻²电流稀度下SY-PPV PLED明度-时候直线。

图4. 空穴陷阱稀度随时候修正直线

(a).SY-PPV, BEH-PPV战MEHPPV PLEDs正在35mA cm^-2电流稀度下空穴陷阱稀度随时候修正直线。

(b).回一化处置的空穴陷阱稀度随时候修正直线。

图5. 复开型PLED进化特色

(a). MEH-PPV PLED战MEH-PPV:PVK (1:1)-PLED正在35mA cm^-2下的电压-时候直线。

(b). MEH-PPV PLED战MEH-PPV:PVK (1:1)-PLED正在35mA cm^-2下的空穴陷阱稀度-时候直线。

【小结】

该工做确定了激子与逍遥空穴相互熏染感动组成空穴陷阱是PLED掉踪效的尾要机制，那使咱们可能约莫更深入的去世谙种种散对于苯衍去世物的掉踪效动做。该掉踪效机制的提出也为咱们设念功能更劣秀的PLED提供了新的思绪，即经由历程使收光散开物与小大能隙半导体相互调制去抑制空穴陷阱对于电压战效力的影响。由于陷阱稀释，那些收光散开物与小大能隙半导体异化的PLEDs也将隐现出亘古未有的晃动性与操做寿命。

文献链接：Hole trap formation in polymer light-emitting diodes under current stress(Nat. Mater., 2018, DOI: 10.1038/s41563-018-0057-x)

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